2024年04月13日 15:21
ユニバーサル ゲート: NAND ゲートは、AND、OR、NOT、XOR ゲートなど、他のタイプの論理ゲートを実装するために使用できます。この汎用性により、NAND ゲートはより多用途になり、デジタル論理回路での使用が容易になります。
フラッシュ メモリは、チップ内の各メモリ セルが一度に 1 ビット以上のデータを保存できるため、フラッシュと呼ばれます。 「フラッシュ」という言葉は、セルにビットを書き込む動作が高速であり、必要な時間は 10 ミリ秒未満であるという事実を指します。Parallel NAND Flash
並列配線は、直列配線よりも簡単で、アンプにケーブルをループで戻す必要がないため、2 つの配線の中で最も一般的です。並列配線のもう 1 つの利点は、インピーダンスが低下することです。これは、スピーカーがアンプからより多くの電力を消費し、音量が大きくなることを意味します。
3D NAND テクノロジーは急速に発展しています。 2015年には、32層のメモリセルが可能になりました。わずか 4 年後、96 層構造の立ち上げが目前に迫っています。そして 2022 年までに 256 層構造が可能になると予想されます。
➨NOR フラッシュと比較して、ランダム読み取り速度が遅くなります。 ➨NORフラッシュよりスタンバイ電流が大きい。 ➨ビット反転は、NOR フラッシュと比較して NAND フラッシュでより一般的です。 ➨NAND フラッシュ メモリでは不良ブロックの発生が頻繁に発生するため、必須の不良ブロック処理が必要です。Automotive UFS Card
3 ～ 5 年 NAND フラッシュ メモリの種類には、SLC、MLC、TLC、QLC などがあります。ほとんどのエンタープライズ グレードのソリッド ステート ドライブは 3 ～ 5 年間使用できるように設計されており、耐久性にはセル密度が重要な役割を果たします。シングルレベル セル (SLC): 100,000 P/E サイクル。マルチレベル セル (MLC): 10,000 P/E サイクル。
同じ信号周波数であれば、パラレル通信は複数ビットのデータを同時に送信できるため、シリアル通信よりも高速です。
すべての USB フラッシュ ドライブ、SD カード、および SSD には、NAND フラッシュを管理し、ウェア レベリングやエラー修正などの機能を実行する NAND コントローラーが搭載されています。
ユーザーがラップトップに SSD ストレージを必要とする場合、次の問題は 2D または 3D NAND フラッシュ メモリを使用するかどうかです。一般に、3D NAND フラッシュ メモリはより高い全体容量を提供します。128gb micro sd card high speed
直列組み合わせに対する並列組み合わせの利点は次のとおりです。 (i) 並列組み合わせでは、各機器が最大電圧を取得します。 (ii) 1 つのアプライアンスの電源がオンになっても、他のアプライアンスは影響を受けません。 (iii) 並列回路は、機器に流れる電流を分割します。
Is flash storage faster than SSD?PerformanceAs you can imagine, flash storage options perform worse than SSDs on average...